在有色金属(Zn， Cu，大量回收废旧耐火砖价格， Al等)冶炼中，被大量用作热馏器、精馏塔托盘、电解槽侧墙、管道、坩埚等。在石油化工上用作脱硫炉、油气发生器等。当SiC含大于90%时，主要用以制造耐中等高温的炉窑构件。SiC含量小于83%时，属低品位耐火材料，主要用于出铁槽、铁水包等的内衬。氮化硅具有较高的迁移率，饱和漂移速度以及高临界击穿场强等特性，因此是良好的微波和高频器件材料，现已应用在相控阵雷达、通信广播系统等领域。对于技术含量相对较高的纳米级别氮化硅粉体的供应尚处于供不应求的状态。所以发展粒度更加细小的纳米级氮化硅产品将会是未来科技进步，生产工艺的需要。
目前，对保护环境和节约能源的呼声高涨，使得国内的新能源电动汽车倍受关注。大功率封装器件在调控汽车速度和储存-转换交流和直流上发挥着决定性作用。而高频率的热循环对电子封装的散热提出了严格的要求，同时工作环境的复杂性和多元性需要封装材料具有较好的抗热震性和高强度来起到支撑作用。此外，随着以高电压、大电流和高频化为主要特征的现代电力电子技术的高速发展，应用于该技术的功率模块散热效率更成为了关键。电子封装系统中的陶瓷基板材料是散热的关键，同时为了应对工作环境的复杂化也应具有高强度和高可靠性。
近年来已经大规模生产、应用较为广泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、Si3N4、AlN等。
Al2O3由于其制备工艺简单、绝缘性好，长期回收废旧耐火砖价格，且耐高温，目前在散热基板行业中占有重要的地位。但是Al2O3的热导率较低，无法满足高功率大电压器件发展要求，天津回收废旧耐火砖，只适用于对散热要求较低的工作环境，而且由于弯曲强度较低也限制了Al2O3陶瓷作为散热基板的应用范围。
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同，生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时，能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅，然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。
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