BeO陶瓷基板虽然具有较高的热导率和较低的介电常数，满足散热的要求，但是由于其具有毒性，对工作人员的健康产生影响，耐火砖常期回收，不利于大规模应用。AlN陶瓷具有较高的热导率，被认为是散热基板的候选材料。但AlN陶瓷抗热震性能差，易潮解，强度韧性较低，不利于在复杂的环境中工作，难以保证其应用的可靠性。SiC陶瓷虽然具有很高的热导率，但是由于其具有较高的介电损耗和较低的击穿电压，不利于应用在高频高压的工作环境中。
氮化硅是国内外公认兼具高导热、高可靠性等综合性能的陶瓷基板材料。尽管Si3N4陶瓷基板具有略低于AlN的导热性，但其抗弯强度、断裂韧性都可达到AlN的2倍以上;同时，武汉耐火砖，Si3N4陶瓷的热导率远大于Al2O3陶瓷;此外，Si3N4陶瓷基板的热膨胀系数与第3代半导体衬底SiC晶体接近，耐火砖长年回收，使其能够与SiC晶体材料匹配性更稳定。这使Si3N4成为第3代SiC半导体功率器件高导热基板材料的。
氮化硅制品按工艺可以分为反应烧结制品、热压制品、常压烧结制品、等静压烧结制品和反应重烧制品等。其中，反应烧结是一种常用的生产氮化硅耐火制品的方法。
反应烧结法生产氮化硅制品是将磨细的硅粉（粒度一般小于80μm），用机压或等静压成型，坯体干燥后，在氮气中加热至1350～1400℃，在烧成过程中同时氮化而制得。采用这种生产方法，原料条件和烧成工艺及气氛条件对制品的性能有很大的影响。
硅粉中含有许多杂质，如Fe，Ca，Aì，Ti等。Fe被认为是反应过程中的催化剂。它能促进硅的扩散，但同时，也将造成气孔等缺陷。Fe作为添加剂的主要作用：在反应过程中可作催化剂，促使制品表面生成SiO2氧化膜；形成铁硅熔系，氮溶解在液态FeSi2中，促进β-Si3N4的生成。但铁颗粒过大或含量过高，耐火砖回收，制品中也会出现气孔等缺陷，降低性能。一般铁的加入量为0～5%。Al，Ca，Ti等杂质，易与硅形成低共熔物。适当的添加量，可以促进烧结，提高制品的性能。
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